晶振技術(shù)術(shù)語

1、標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。

2、工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。

3、調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25&***mn;2℃）時(shí)工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。

4、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25&***mn;2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。

5、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。

6、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

7、負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。

負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

8、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

9、動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

10、負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。

RL＝R1（1+C0/CL）2

激勵(lì)電平可選值有：2***、1***、0.5***、0.2***、0.1***、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

12、基頻：在振動模式***低階次的振動頻率。

13、泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。